紫外光刻機(jī)新一代紫外光源：172nm，具有同類產(chǎn)品良好的輸出強(qiáng)度，3%的可用孔徑，弧光燈使用壽命更長。暴露高達(dá)30000次，瞬間啟動，無需超凈室，內(nèi)置凈化系統(tǒng)可使系統(tǒng)在大氣環(huán)境中工作，無需主動冷卻和外部冷卻，無有毒氣體和汞等物質(zhì)。高光能轉(zhuǎn)換率（EVU僅為0.02%），節(jié)能；傳統(tǒng)的UV處理會存在以上問題。光刻操作可以在幾分鐘內(nèi)完成，維護(hù)簡單，幾乎不需要培訓(xùn)。

　　

　　1、微米級高分辨率投影光刻。

　　

　　2、實現(xiàn)無遮罩任意圖案書寫，所見即所得，即時。

　　

　　3、200mm行程拼接，100nm拼接精度。

　　

　　4、視覺引導(dǎo)光斑，支持雕刻。

　　

　　5、全自動操作，圖形縮放、旋轉(zhuǎn)、定位、掃描、拼接均由軟件完成。

　　

　　紫外光刻機(jī)紫外投影光刻技術(shù)將特定形狀的光斑投射到涂在器件表面的光刻膠上。光刻膠的照射區(qū)域會產(chǎn)生化學(xué)變化。曝光顯影后，可形成微米級精密圖案；通過進(jìn)一步的蝕刻或蒸發(fā)，可以在樣品表面形成所需的結(jié)構(gòu)。UV投影光刻作為材料、器件、微結(jié)構(gòu)和微器件的常用制備技術(shù)，廣泛應(yīng)用于微納米結(jié)構(gòu)制備、半導(dǎo)體器件電極制備、太赫茲/毫米波器件制備、光學(xué)掩模制備、PCB制造等應(yīng)用。

　　

　　傳統(tǒng)的UV投影光刻機(jī)需要先制作掩模版，耗材成本高，制備周期長，難以滿足材料和器件實驗室對靈活性和實驗進(jìn)度的要求。近年來開發(fā)的紫外光刻機(jī)技術(shù)突破了這一技術(shù)限制，實現(xiàn)了任意形狀編程和全自動高精度大面積拼接的無掩模光刻，隨時將您的設(shè)計轉(zhuǎn)化為實際的成品，大大減少了開發(fā)和測試周期，強(qiáng)有力的助攻微納器件制備的“臨門一腳”。